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Infineon
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IPB80N04S3-H4 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,PG-TO263-3
  • 技術參數:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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IPB80N04S3-H4 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:IPB80N04S3-H4
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):40V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 80A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 65μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):60nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3900pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:115W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應商器件封裝:PG-TO263-3
  • IPB80N04S3-H4優勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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