- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
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IPB65R125C7ATMA1 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IPB65R125C7ATMA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列:CoolMOS? C7
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- FET類型:N 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):650V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):18A(Ta)
- 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):125 毫歐 @ 8.9A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 440μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1670pF @ 400V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):101W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
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