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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-TO263-2
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
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IPB027N10N3 G 技術參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：IPB027N10N3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.7 毫歐 @ 100A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 275μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：206nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14800pF @ 50V
- 功率 - 最大值：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商器件封裝：PG-TO263-2
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