產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：PG-HSOF-8-3
- 技術(shù)參數(shù)：GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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IGT60R190D1SATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IGT60R190D1SATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：CoolGaN?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：12.5A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1,6V @ 960μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：157pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：55,5W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-HSOF-8-3
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