產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
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IGB01N120H2ATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IGB01N120H2ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：最後搶購(gòu)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：3.2A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：3.5A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，1A
- 功率-最大值：28W
- 開(kāi)關(guān)能量：140μJ
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：8.6nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：13ns/370ns
- 測(cè)試條件：800V，1A，241 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- IGB01N120H2ATMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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