產品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：模塊
- 技術參數：IGBT MODULE 1200V 1050W
- 豐富的英飛凌公司產品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
FF200R12KT3EHOSA1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FF200R12KT3EHOSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 1050W
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：-
- 配置：2 個獨立式
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 功率-最大值：1050W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
- 電流-集電極截止（最大值）：5mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：14nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
- FF200R12KT3EHOSA1優勢代理貨源，國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
芯片采購網專注整合國內外授權Infineon代理的現貨資源，輕松采購IC芯片，是國內專業的芯片采購平臺