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DF200R12W1H3B27BOMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:模塊
  • 技術參數:IGBT MOD 1200V 30A 375W
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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DF200R12W1H3B27BOMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:DF200R12W1H3B27BOMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:IGBT MOD 1200V 30A 375W
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 配置:2 個獨立式
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
  • 功率-最大值:375W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.3V @ 15V,30A
  • 電流-集電極截止(最大值):1mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):2nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:是
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:模塊
  • DF200R12W1H3B27BOMA1優勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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