BUZ73 H 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BUZ73 H
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
- 系列:SIPMOS
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):530pF @ 25V
- 功率 - 最大值:40W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3
- BUZ73 H優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)