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Infineon
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BSZ180P03NS3E G 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,PG-TSDSON-8
  • 技術參數:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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BSZ180P03NS3E G 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSZ180P03NS3E G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):9A(Ta),39.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 48μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2220pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.1W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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