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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-TSDSON-8
- 技術參數：MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
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BSZ180P03NS3E G 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSZ180P03NS3E G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：9A（Ta），39.5A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 20A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 48μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2220pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerTDFN
- 供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
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