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Infineon
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BSZ110N06NS3 G 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,PG-TSDSON-8
  • 技術參數:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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BSZ110N06NS3 G 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSZ110N06NS3 G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):20A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 23μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):33nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2700pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:50W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
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