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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PG-TSDSON-8-FL
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
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BSZ0904NSIATMA1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：BSZ0904NSIATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：OptiMOS?
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：18A（Ta），40A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 30A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1463pF @ 15V
- FET功能：肖特基二極管（體）
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），37W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TSDSON-8-FL
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