- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PG-SOT223-4
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
BSP317P L6327 技術(shù)參數(shù)詳情:
- Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSP317P L6327
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
- 系列:SIPMOS
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):250V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):430mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4 歐姆 @ 430mA,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 370μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15.1nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):262pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4
- BSP317P L6327優(yōu)勢(shì)代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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