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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：場效應管陣列，PG-DSO-8
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
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BSO615N G 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSO615N G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- 系列：SIPMOS
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：2.6A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：PG-DSO-8
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