產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，PG-DSO-8
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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BSO303P H 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSO303P H
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：7A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 8.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：49nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2678pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
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