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- 制造廠商:英飛凌
- 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:模塊
- 技術(shù)參數(shù):IGBT MOD 1200V 30A 235W
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購平臺
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BSM75GAR120DN2HOSA1 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:BSM75GAR120DN2HOSA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
- 描述:IGBT MOD 1200V 30A 235W
- 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計
- IGBT類型:溝槽型場截止
- 配置:單路
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
- 功率-最大值:235W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,15A
- 電流-集電極截止(最大值):400μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies):1nF @ 25V
- 輸入:標準
- NTC熱敏電阻:無
- 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝:模塊
- BSM75GAR120DN2HOSA1優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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