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BSC200P03LSGAUMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TDSON-8-1
  • 技術參數:MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
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BSC200P03LSGAUMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:BSC200P03LSGAUMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:OptiMOS?
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):9.9A(Ta),12.5A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):20 毫歐 @ 12.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 100μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):48.5nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2430pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),63W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TDSON-8-1
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