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Infineon
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BSC0921NDIATMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerTDFN
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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BSC0921NDIATMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:BSC0921NDIATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:OptiMOS?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):17A,31A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):8.9nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1025pF @ 15V
  • 功率-最大值:1W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerTDFN
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