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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Infineon
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
BCR183SE6433BTMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置,封裝:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品,英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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BCR183SE6433BTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):BCR183SE6433BTMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 晶體管類型:2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):10 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):10 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA
  • 電流-集電極截止(最大值):-
  • 頻率-躍遷:200MHz
  • 功率-最大值:250mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • BCR183SE6433BTMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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