產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IC DISCRETE 600V TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
AIHD10N60RFATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：AIHD10N60RFATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：30A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
- 功率-最大值：150W
- 開關(guān)能量：190μJ（開），160μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：64nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：12ns/168ns
- 測(cè)試條件：400V，10A，26 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- AIHD10N60RFATMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)