產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IC DISCRETE 600V TO252-3
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AIHD06N60RFATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：AIHD06N60RFATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：12A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：18A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，6A
- 功率-最大值：100W
- 開關(guān)能量：90μJ（開），90μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：48nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：8ns/105ns
- 測試條件：400V，6A，23 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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