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AIHD06N60RATMA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 技術參數:IC DISCRETE 600V TO252-3
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AIHD06N60RATMA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:AIHD06N60RATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:IC DISCRETE 600V TO252-3
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):12A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):18A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,6A
  • 功率-最大值:100W
  • 開關能量:110μJ(開),220μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:48nC
  • 25°C時Td(開/關)值:12ns/127ns
  • 測試條件:400V,6A,23 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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