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Infineon
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2N7002DW H6327 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:場效應管陣列,PG-SOT363-6
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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2N7002DW H6327 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:2N7002DW H6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):300mA
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):0.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):20pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商器件封裝:PG-SOT363-6
  • 2N7002DW H6327優勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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