產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：V2-PAK
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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VWM200-01P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：VWM200-01P
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：6 N-溝道（3 相橋）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：210A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.2 毫歐 @ 100A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：430nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：V2-PAK
- VWM200-01P優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
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