- 制造廠商:IXYS
- 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:E1
- 技術(shù)參數(shù):IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品,IXYS芯片采購平臺
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MUBW30-12A6K 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:MUBW30-12A6K
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購)
- 描述:IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1
- 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:NPT
- 配置:三相反相器,帶制動器
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
- 功率-最大值:130W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3.8V @ 15V,30A
- 電流-集電極截止(最大值):1mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies):1nF @ 25V
- 輸入:三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻:是
- 工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝:E1
- MUBW30-12A6K優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
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