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IXYS
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IXXH80N65B4H1 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
  • 技術參數:IGBT 650V 160A 625W TO247AD
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IXXH80N65B4H1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IXXH80N65B4H1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT 650V 160A 625W TO247AD
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:GenX4?, XPT?
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):160A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):430A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
  • 功率-最大值:625W
  • 開關能量:3.77mJ(開),1.2mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:120nC
  • 25°C時Td(開/關)值:38ns/120ns
  • 測試條件:400V,80A,3 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):150ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
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