產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，TO-263
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
IXTA3N120TRL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- IXYS公司完整型號(hào)：IXTA3N120TRL
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu)）
- 描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：4.5 歐姆 @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：42nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V
- 功率 - 最大值：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-263 （IXTA）
- IXTA3N120TRL優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)