- 制造廠商:IXYS
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 55A 200W TO268
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品,IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
IXST30N60CD1 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXST30N60CD1
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu))
- 描述:IGBT 600V 55A 200W TO268
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):55A
- 電流-集電極脈沖(Icm):110A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,30A
- 功率-最大值:200W
- 開(kāi)關(guān)能量:700μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:100nC
- 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/90ns
- 測(cè)試條件:480V,30A,4.7 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
- 封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
- IXST30N60CD1優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)