產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
- 技術參數(shù)：IGBT 1200V 300W TO268
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IXGT30N120B3D1 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXGT30N120B3D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT 1200V 300W TO268
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：150A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，30A
- 功率-最大值：300W
- 開關能量：3.47mJ（開），2.16mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：87nC
- 25°C時Td（開/關）值：16ns/127ns
- 測試條件：960V，30A，5 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：100ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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