產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術參數(shù)：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
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IXGQ20N120BD1 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXGQ20N120BD1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：100A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：190W
- 開關能量：2.1mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：62nC
- 25°C時Td（開/關）值：20ns/270ns
- 測試條件：960V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：40ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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