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IXYS
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
IXGK120N60B3 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-264-3,TO-264AA
  • 技術(shù)參數(shù):DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
  • 豐富的IXYS公司產(chǎn)品,IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IXGK120N60B3 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXGK120N60B3
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu))
  • 描述:DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:GenX3?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):280A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):600A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,100A
  • 功率-最大值:780W
  • 開(kāi)關(guān)能量:2.9mJ(開(kāi)),3.5mJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:465nC
  • 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:40ns/227ns
  • 測(cè)試條件:480V,100A,2 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):87ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-264-3,TO-264AA
  • IXGK120N60B3優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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