產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-264-3，TO-264AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXGB200N60B3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXGB200N60B3
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：75A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：600A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，100A
- 功率-最大值：1250W
- 開關(guān)能量：1.6mJ（開），2.9mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：750nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：44ns/310ns
- 測試條件：300V，100A，1 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-264-3，TO-264AA
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