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IXYS
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IXFN80N50 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:場效應管模塊,SOT-227B
  • 技術參數:MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  • 豐富的IXYS公司產品,IXYS芯片采購平臺
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IXFN80N50 技術參數詳情:
  • IXYS公司完整型號:IXFN80N50
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):500V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):80A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):55 毫歐 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):380nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9890pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:780W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商器件封裝:SOT-227B
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