IXFN26N90 技術(shù)參數(shù)詳情:
- IXYS公司完整型號(hào):IXFN26N90
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu))
- 描述:MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
- 系列:HiPerFET?
- FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):900V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):26A
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 13A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):240nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):10800pF @ 25V
- 功率 - 最大值:600W
- 安裝類(lèi)型:底座安裝
- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B
- IXFN26N90優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)