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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
IXYS
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
IXFN26N90 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類(lèi)別封裝:場(chǎng)效應(yīng)管模塊,SOT-227B
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
  • 豐富的IXYS公司產(chǎn)品,IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IXFN26N90的技術(shù)資料下載
確保正品,國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨,合理價(jià)格
IXFN26N90 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • IXYS公司完整型號(hào):IXFN26N90
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu))
  • 描述:MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):26A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 13A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):240nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):10800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:600W
  • 安裝類(lèi)型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B
  • IXFN26N90優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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