產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：場效應管模塊，SOT-227B
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
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IXFN130N30 技術參數(shù)詳情：
- IXYS公司完整型號：IXFN130N30
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
- 系列：HiPerFET?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：300V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：130A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 500mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：380nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14500pF @ 25V
- 功率 - 最大值：700W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
- 供應商器件封裝：SOT-227B
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