IXFH20N60 技術(shù)參數(shù)詳情:
- IXYS公司完整型號:IXFH20N60
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
- 系列:HiPerFET?
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):600V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):20A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):350 毫歐 @ 10A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 4mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):170nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4500pF @ 25V
- 功率 - 最大值:300W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD (IXFH)
- IXFH20N60優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
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