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IXYS
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IXDP35N60B 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
  • 技術參數:IGBT 600V 60A 250W TO220AB
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IXDP35N60B 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IXDP35N60B
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT 600V 60A 250W TO220AB
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:NPT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):70A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,35A
  • 功率-最大值:250W
  • 開關能量:1.6mJ(開),800μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:120nC
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:300V,35A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-3
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