IXDN614SI 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IXDN614SI
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
- 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
- 產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
- 包裝:管件
- 系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- 驅(qū)動配置:低端
- 通道類型:單路
- 驅(qū)動器數(shù):1
- 柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET
- 電壓-供電:4.5V ~ 35V
- 邏輯電壓?-VIL,VIH:0.8V,3V
- 電流-峰值輸出(灌入,拉出):14A,14A
- 輸入類型:非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值(自舉):-
- 上升/下降時間(典型值):25ns,18ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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