產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 陣列，封裝：i4-Pac?-5
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
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FII30-12E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FII30-12E
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
- 系列：晶體管 - IGBT - 陣列
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：NPT
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：33A
- 功率-最大值：150W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，20A
- 電流-集電極截止（最大值）：200μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：1.2nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：i4-Pac?-5
- FII30-12E優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
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