產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ISSI
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：209-BGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
- 豐富的ISSI公司產(chǎn)品，ISSI芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IS61NLP25672-200B1LI 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IS61NLP25672-200B1LI
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲(chǔ)器類型：易失
- 存儲(chǔ)器格式：SRAM
- 技術(shù)：SRAM - 同步，SDR
- 存儲(chǔ)容量：18Mb（256K x 72）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：200MHz
- 寫周期時(shí)間-字，頁：-
- 訪問時(shí)間：3.1ns
- 電壓-供電：3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：209-BGA
- IS61NLP25672-200B1LI優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ISSI芯片采購服務(wù)平臺。
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