產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ISSI
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：165-LBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
- 豐富的ISSI公司產(chǎn)品，ISSI芯片采購平臺(tái)
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IS61DDB21M18A-300M3L 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IS61DDB21M18A-300M3L
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲(chǔ)器類型：易失
- 存儲(chǔ)器格式：SRAM
- 技術(shù)：SRAM - 同步，DDR II
- 存儲(chǔ)容量：18Mb（1M x 18）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：300MHz
- 寫周期時(shí)間-字，頁：-
- 訪問時(shí)間：-
- 電壓-供電：1.71V ~ 1.89V
- 工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：165-LBGA
- IS61DDB21M18A-300M3L優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ISSI芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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