產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ISSI
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
- 豐富的ISSI公司產(chǎn)品，ISSI芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IS43DR86400E-3DBLI 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IS43DR86400E-3DBLI
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- 存儲(chǔ)器類型：易失
- 存儲(chǔ)器格式：DRAM
- 技術(shù)：SDRAM - DDR2
- 存儲(chǔ)容量：512Mb（64M x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：333MHz
- 寫周期時(shí)間-字，頁(yè)：15ns
- 訪問(wèn)時(shí)間：450ns
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
- IS43DR86400E-3DBLI優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ISSI芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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