產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ISSI
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：90-TFBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
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IS42RM32800E-6BLI 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IS42RM32800E-6BLI
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：DRAM
- 技術(shù)：SDRAM - 移動
- 存儲容量：256Mb（8M x 32）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：166MHz
- 寫周期時間-字，頁：-
- 訪問時間：5.5ns
- 電壓-供電：2.3V ~ 3V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：90-TFBGA
- IS42RM32800E-6BLI優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的ISSI芯片采購服務(wù)平臺。
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