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IR
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
IRLHM630TR2PBF 圖片
  • 制造廠商:IR(國際整流器)
  • 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PQFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  • 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購平臺
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價格
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IRLHM630TR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRLHM630TR2PBF
  • 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Ta),40A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 20A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 50μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3170pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.7W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:8-VQFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝:PQFN(3x3)
  • IRLHM630TR2PBF優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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