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- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：場效應管陣列，8-SO
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
- 豐富的IR公司產品，IR芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
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IRL6372PBF 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IRL6372PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
- 系列：HEXFET
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8.1A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17.9 毫歐 @ 8.1A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1020pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SO
- IRL6372PBF優勢代理貨源，國內領先的IR芯片采購服務平臺。
