- 制造廠商:IR(國際整流器)
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PQFN
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
- 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購平臺
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IRFH5250DTR2PBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRFH5250DTR2PBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):25V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):40A(Ta),100A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 50A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 150μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):83nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6115pF @ 13V
- 功率 - 最大值:3.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:8-VQFN
- 供應(yīng)商器件封裝:PQFN(5x6)單芯片焊盤
- IRFH5250DTR2PBF優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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