- 制造廠商:IR(國際整流器)
- 類別封裝:單端場效應管,8-SO
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
- 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購平臺
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IRF7853TRPBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRF7853TRPBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標準
- 漏源極電壓 (Vdss):100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8.3A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 8.3A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):39nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1640pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商器件封裝:8-SO
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