IRF7701TR 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRF7701TR
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):12V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11 毫歐 @ 10A,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):100nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5050pF @ 10V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP
- IRF7701TR優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)IR代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購IC芯片,是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺