- 制造廠商:IR(國際整流器)
- 類別封裝:單端場效應管,DIRECTFET
- 技術參數:MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
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IRF6720S2TRPBF 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:IRF6720S2TRPBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):11A(Ta),35A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8 毫歐 @ 11A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1140pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產品封裝:DirectFET 等容 S1
- 供應商器件封裝:DIRECTFET S1
- IRF6720S2TRPBF優勢代理貨源,國內領先的IR芯片采購服務平臺。