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- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應管，DIRECTFET
- 技術參數：MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
- 豐富的IR公司產品，IR芯片采購平臺
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IRF6709S2TR1PBF 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IRF6709S2TR1PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：25V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta），39A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：7.8 毫歐 @ 12A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1010pF @ 13V
- 功率 - 最大值：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：DirectFET 等容 S1
- 供應商器件封裝：DIRECTFET S1
- IRF6709S2TR1PBF優勢代理貨源，國內領先的IR芯片采購服務平臺。
