- 制造廠商:IR(國際整流器)
- 類別封裝:單端場效應(yīng)管,DIRECTFET
- 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
IRF6648TR1PBF 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRF6648TR1PBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 系列:HEXFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss):60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):86A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7 毫歐 @ 17A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 150μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2120pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:DirectFET 等容 MN
- 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET MN
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